氧空缺遷移對氧化鈦與氧化鉭非揮發性記憶體電阻轉換特性之影響

 

博士論文名稱

氧空缺遷移對氧化鈦與氧化鉭非揮發性記憶體電阻轉換特性之影響

學校/科系

國立成功大學/材料科學及工程學系

研究生姓名

鍾裕隆/103學年度

指導教授

陳貞夙

中文關鍵詞

氧化鈦、氧化鉭、氧空缺、電阻式記憶體、電阻轉換

 



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