2025.07《第一百零四期》
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    氧空缺遷移對氧化鈦與氧化鉭非揮發性記憶體電阻轉換特性之影響

     

    博士論文名稱

    氧空缺遷移對氧化鈦與氧化鉭非揮發性記憶體電阻轉換特性之影響

    學校/科系

    國立成功大學/材料科學及工程學系

    研究生姓名

    鍾裕隆/103學年度

    指導教授

    陳貞夙

    中文關鍵詞

    氧化鈦、氧化鉭、氧空缺、電阻式記憶體、電阻轉換

     



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